三星1c納米DRAM內存良率明顯提升#，設計改進起到關鍵作用】6 月 24 日消息，參考韓媒 SEDaily 當地時間本月 19 日報道和另一家韓媒 MK 的今日報道，三星電子的第六代 10 納米級（IT之家注：即 1c nm）DRAM 內存工藝在設計改進等的推動下良率明顯提升。
SEDaily 在報道中宣稱，三星去年 1c nm 內存的良率還不到 30%，而在今年五月的性能測試中良率達到了 50%~70%；MK 則提到了 60% 以上的近期良率數據。
三星1c納米DRAM內存良率明顯提升#，設計改進起到關鍵作用】6 月 24 日消息，參考韓媒 SEDaily 當地時間本月 19 日報道和另一家韓媒 MK 的今日報道，三星電子的第六代 10 納米級（IT之家注：即 1c nm）DRAM 內存工藝在設計改進等的推動下良率明顯提升。
SEDaily 在報道中宣稱，三星去年 1c nm 內存的良率還不到 30%，而在今年五月的性能測試中良率達到了 50%~70%；MK 則提到了 60% 以上的近期良率數據。